在刚好与硅液流动的方向相反。
这就形成了一个强大的磁阻尼效应。原本波涛汹涌的硅液熔池，在磁场的镇压下，变得如同死水一般平静。氧杂质的对流输送被大幅度削减。
经过长达数周的反复失败和参数调整。
一九四八年十二月十日。
当单晶炉的拉杆最终升至顶端，真空腔室冷却充气后打开。
一根直径七十五毫米、长达五十厘米，通体呈现出深灰色金属光泽且毫无瑕疵的单晶硅棒，展现在了所有工程师的面前。
大西北在材料学上，终于攀爬过了最艰难的那座硅基山峰。
但有了纯净的单晶硅棒，距离制造出能够在高温下稳定工作的晶体管，还有最后一道技术门槛。
早期的锗晶体管采用的是点接触工艺。那是用两根极其细小的金丝，在显微镜下手工扎在半导体表面。这种结构不仅难以进行大批量流水线生产，而且抗震性能极差。
既然硅的表面在空气中极易形成一层致密的二氧化硅绝缘层。大西北的工程师们决定反其道而行之，利用这层玻璃作为掩膜，开发出一种全新的、彻底颠覆微电子制造历史的工艺——平面光刻工艺。
西京物理研究院，超净光学微缩实验室。
这里的光线被调成了昏暗的黄色，以防止感光材料发生意外曝光。
女工王芳站在一台精密的光学曝光机前。
她的面前，是一片从单晶硅棒上切割下来、经过化学机械抛光至镜面级别的硅圆片。
第一步：热氧化。 硅片被送入一千度的高温氧化炉中，通入高纯度氧气和水蒸气。硅表面在高温下与氧发生反应，生长出一层厚度均匀、致密绝缘的二氧化硅薄膜。
第二步：涂胶。 在硅片表面均匀地旋涂一层光刻胶。
第三步：紫外线曝光。 王芳将一块刻有复杂微观电路图形的玻璃光刻掩膜版，精确地对准在硅片上方。 按下开关。高强度的紫外线灯亮起。 紫外线穿透掩膜版上透明的部分，照射在光刻胶上。被光照射到的光刻胶发生化学键断裂，变得可以溶解。而掩膜版黑色不透明部分遮挡的区域，光刻胶保持原样。
第四步：显影与化学刻蚀。 将硅片浸入显影液，被紫外线照射过的光刻胶被洗去，露出了下方的二氧化硅层。 随后，硅片被放入含有剧毒氢氟酸的腐蚀液中。 氢氟酸只腐蚀裸露的二氧化硅，将其溶解成氟硅酸。而未被光照射、仍有光刻胶保护的区域，二氧化硅层
…。。